三星S21详情曝光:首发骁龙875,居中挖孔屏+双曲面设计

更新时间:2020-10-09 09:50     编辑:沙辈嫱     浏览量: 4650     信息来源:三星S21详情曝光:首发骁龙875,居中挖孔屏+双曲面设计

导读:高通骁龙875将在12月1日在骁龙技术峰会上推出,这将会是2021年安卓旗舰级的标配处理器,它的首发机型是Galaxy S21系列,想要了解更多的内容就来这里吧。在10月9日,Mayur Gadhiya正式曝光三星Galaxy S21手机的正...

高通骁龙875将在12月1日在骁龙技术峰会上推出,这将会是2021年安卓旗舰级的标配处理器,它的首发机型是Galaxy S21系列,想要了解更多的内容就来这里吧。

三星S21详情曝光:首发骁龙875,居中挖孔屏+双曲面设计

在10月9日,Mayur Gadhiya正式曝光三星Galaxy S21手机的正面屏幕图片,该爆料人表示,这只是三星Galaxy S21系列的标准版,而不是三星Galaxy S21+或者三星Galaxy S21 Ultra。

根据这次的爆料图片显示,三星Galaxy S21采用居中挖孔屏方案,而且采用双曲面设计,并没有使用屏下摄像头方案,采用了更加成熟稳定的挖孔屏设计,这意味三星会更加关注前置摄像头成像和正面屏幕的显示效果。

三星S21详情曝光:首发骁龙875,居中挖孔屏+双曲面设计

三星Galaxy S21系列将是首批采用高通骁龙875处理器的手机,但是该手机在一些地区还会采用Exynos 2100处理器这款处理器同样是5nm工艺制程,虽然综合性能比不上高通骁龙875处理器,但是也可以满足用户的使用需求。

三星Galaxy S21系列预计将会采用65W快充设备,虽然距离现在的120W还是有差距的,但是三星之前最快的充电器才45W,这将会是三星手机中充电速度最快的手机。

三星S21详情曝光:首发骁龙875,居中挖孔屏+双曲面设计

三星Galaxy S21系列预计将在2021年的第一季度发布,上市时间应该在2月份左右。

        

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